GD25Q256DYIGR SPI NOR閃存為各類應用的多樣化設計需求提供高性能與安全特性。
GD25Q256DYIGR 規(guī)格參數(shù)
存儲器格式 閃存
技術(shù) 閃存 - NOR
存儲容量 256Mbit
存儲器組織 32M x 8
存儲器接口 SPI - 四線I/O
時鐘頻率 104 MHz
寫入周期時間 - 字節(jié)/頁 50μs, 2.4ms
供電電壓 2.7V ~ 3.6V
工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA)
GD25Q256DYIGR特性
提供1.8V、2.5V、3.0V及寬電壓范圍版本
支持單通道、雙通道及四通道I/O SPI模式
輸入/輸出(I/O)
1.65至3.6V SPI NOR閃存(寬電壓范圍)
雙I/O數(shù)據(jù)傳輸速率最高160Mbit/s
四I/O數(shù)據(jù)傳輸速率最高320Mbit/s
3.0V SPI NOR閃存
雙I/O數(shù)據(jù)傳輸速率最高240Mbit/s
四I/O數(shù)據(jù)傳輸速率最高480Mbit/s
2.5V SPI NOR閃存
雙I/O數(shù)據(jù)傳輸速率高達208Mbit/s
四I/O數(shù)據(jù)傳輸速率高達416Mbit/s
1.8V SPI NOR閃存
雙I/O數(shù)據(jù)傳輸速率高達266Mbit/s
四I/O數(shù)據(jù)傳輸速率高達532Mbit/s
靈活存儲架構(gòu)(扇區(qū)大?。?K字節(jié),塊大小:32K/64K字節(jié))
高可靠性:20年數(shù)據(jù)保留期,100,000次編程/擦除循環(huán)
工作溫度范圍:-40°C至+85°C
快速代碼執(zhí)行、簡易接口及低引腳數(shù)
單電源電壓
1.65至3.6V SPI NOR閃存(寬電壓范圍):1.65V至3.6V
1.8V SPI NOR閃存:1.65V至2.0V
2.5V SPI NOR閃存:2.3V至3.6V
3.0V SPI NOR閃存:2.7V至3.6V
高速時鐘頻率(30pF負載條件下)
1.65至3.6V SPI NOR閃存(寬電壓范圍):快速讀取時最高80MHz
1.8V SPI NOR閃存:快速讀取時最高133MHz
2.5V SPI NOR閃存:快速讀取時最高104MHz
3.0V SPI NOR閃存:快速讀取時最高120MHz
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
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兆易創(chuàng)新(GigaDevice Semiconductor Inc.),成立于2005年,是一家專注于各類高速和低功耗存儲器及相關(guān)芯片設計、測試、生產(chǎn)、銷售、技術(shù)保障與服務一體化的高新技術(shù)企業(yè)。 自成立起短短6年期間,GigaDevice實現(xiàn)了跳躍式發(fā)展,經(jīng)營業(yè)績節(jié)節(jié)攀升,獲得了廣泛的市場好評和…
GD25B127DSIGR
GD25B127DSIGR SPI NOR閃存為各類應用的多樣化設計需求提供高性能與安全特性。GD25B127DSIGR規(guī)格參數(shù)存儲容量:128 Mbit供電電壓 - 最低:2.7 V供電電壓 - 最高:3.6 V最大讀取電流:27 mA接口類型:SPI最大時鐘頻率:104 MHz組織結(jié)構(gòu):16M8數(shù)據(jù)總線寬度:8位最低工作溫度…GD32F303RET6
GD32F303RET6是一款高性能的32位微控制器,采用ARM Cortex-M4內(nèi)核,主頻可達120MHz,支持雙精度浮點運算和DSP指令。GD25WD40COIGR
GD25WD40COIGR 是一款 4Mbit NOR Flash 存儲芯片,采用 8 引腳 TSSOP 封裝。GD25D40CTIGR
GD25D40CTIGR 是一款 4Mbit NOR 閃存存儲器,采用 SOP-8 封裝形式。GD32E230C8T6
GD32E230C8T6是一款基于 ARM Cortex-M23 內(nèi)核的 32 位通用微控制器,屬于 GigaDevice(兆易創(chuàng)新)的 GD32E230 系列。GD25Q127CFIGR
GD25Q127CFIGR 是一款 128Mb(16MB)SPI NOR Flash 存儲器,采用 16-SOIC(7.50mm 寬)封裝電話咨詢:86-755-83294757
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